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更新時(shí)間：2025-12-26 
瀏覽次數(shù)：44一、半導(dǎo)體基礎(chǔ)
半導(dǎo)體是兼具導(dǎo)體（如金屬）與絕緣體（如橡膠）特性的物質(zhì)，其核心在于“禁帶寬度"的能量差異。通過(guò)摻雜雜質(zhì)，可調(diào)控其電學(xué)性質(zhì)：
n型半導(dǎo)體：在硅（Si）中摻入磷（P）等Ⅴ族元素，產(chǎn)生自由電子。
p型半導(dǎo)體：在硅中摻入硼（B）等Ⅲ族元素，形成空穴（正電荷載體）。
n型與p型結(jié)合時(shí)，界面形成“耗盡層"，實(shí)現(xiàn)單向?qū)щ姽δ?，?gòu)成晶體管、二極管等集成電路（IC）的基礎(chǔ)。
制造過(guò)程分為前工程（晶圓加工）與后工程（封裝測(cè)試）：
1. 前工程
設(shè)計(jì)與制版：設(shè)計(jì)電路圖案，制作光刻掩模（Photomask）。
晶圓制備：
將單晶硅錠切割成圓盤(pán)狀“晶圓"（Wafer）。
研磨表面至鏡面光滑度，并檢測(cè)氧化風(fēng)險(xiǎn)（需低氧環(huán)境）。
氧化與薄膜沉積：
高溫氧化形成絕緣層（SiO?）。
通過(guò)CVD（化學(xué)氣相沉積）或?yàn)R射法沉積電路材料薄膜（需真空或惰性氣體環(huán)境）。
光刻與蝕刻：
涂覆光刻膠，通過(guò)掩模曝光形成電路圖案。
用溶液（濕法）或氣體（干法）蝕刻非保護(hù)區(qū)域。
離子注入與電極形成：摻雜雜質(zhì)調(diào)控電學(xué)性質(zhì)，添加金屬電極。
缺陷檢測(cè)：測(cè)試晶圓功能完整性。
2. 后工程
切割（Dicing）：分離晶圓上的獨(dú)立芯片。
鍵合（Bonding）：為芯片添加導(dǎo)電引腳。
封裝（Molding）：用樹(shù)脂/陶瓷密封芯片，防止雜質(zhì)侵入。
成品測(cè)試：最終性能驗(yàn)證。
半導(dǎo)體制造需在潔凈室（ISO 1-9級(jí)，控制0.1μm以上顆粒數(shù)量）中進(jìn)行，以避免微塵、水分、氧氣導(dǎo)致的缺陷。關(guān)鍵測(cè)量技術(shù)包括：
水分測(cè)量（露點(diǎn)計(jì)）：
極微量水分（ppb~ppm級(jí)）：電容式露點(diǎn)計(jì)（如TK-100，測(cè)-100℃dp）。
微量水分（ppm級(jí)）：高分子式露點(diǎn)計(jì)（如TE-660，測(cè)-60℃dp）。
基準(zhǔn)校準(zhǔn)：鏡面冷卻式露點(diǎn)計(jì)（如MBW373，精度±0.1℃dp）。
環(huán)境濕度：溫濕度計(jì)（如EE060用于潔凈室，EE33用于高溫高濕環(huán)境）。
氧氣濃度測(cè)量：
低濃度（ppm級(jí)）：伽伐尼電池式氧濃度計(jì)（如Model 201/2001LC）。
微量（ppb級(jí)）：氧化鋯式氧濃度計(jì)（如Model 4100）。
風(fēng)速測(cè)量：監(jiān)控潔凈室氣流，防止顆粒沉積。
雜質(zhì)控制：真空或惰性氣體（N?、Ar）環(huán)境防止氧化/污染。
精度保障：高精度測(cè)量?jī)x器（如MBW373）確保工藝穩(wěn)定性。
環(huán)境管理：潔凈室正壓設(shè)計(jì)、高效過(guò)濾系統(tǒng)維持無(wú)塵環(huán)境。
結(jié)語(yǔ)
半導(dǎo)體制造依賴(lài)精密工藝與嚴(yán)苛環(huán)境管理，測(cè)量技術(shù)（如露點(diǎn)計(jì)、氧濃度計(jì)）是保障產(chǎn)品質(zhì)量的核心。通過(guò)潔凈室與適配儀器的協(xié)同，實(shí)現(xiàn)高可靠性半導(dǎo)體的量產(chǎn)。
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